Qualcuno credeva che già a settembre sarebbe arrivato il taglio di memoria da 2 TB, ora il peso è tutto sui prossimi iPhone 16.
L’ultimo periodo, che ha visto protagonista Samsung con i nuovi Galaxy S24, sembra aver concesso anche altre informazioni agli amanti del mondo smartphone. Le ultime hanno portato agli utenti più curiosi nuove notizie interessanti sull’azienda rivale, ovvero Apple. Sembra infatti che le indiscrezioni sulla serie iPhone 16 stiano arrivando a ripetizione con anticipazioni importanti.
Proprio recentemente si è discusso in merito al design, che vedrà l’introduzione di un nuovo pulsante “Cattura” che garantirà nuovi controlli fotografici. Tuttavia, come per ogni indiscrezione, potrebbe trattarsi solo di una fake news che nasconde altro ma lo sapremo solo quando Apple presenterà la sua prossima serie di iPhone a settembre 2024.
Nel frattempo però sembrano prendere sempre più piede le notizie che vedrebbero la nuova gamma protagonista con degli aggiornamenti importanti sui tagli di memoria. I nuovi iPhone 16 Pro e iPhone 16 Pro Max potrebbero infatti raddoppiare la loro capacità di archiviazione.
iPhone 16 Pro e Pro Max con 2 TB: si parla delle nuove memorie QLC
Come si legge sul web in queste ore infatti, i leaker parlano di una versione con a bordo uno storage interno da ben 2 TB. Il tutto potrebbe essere reso possibile dall’introduzione della nuova memoria flash di tipo QLC. In molti sono in dubbio: la stessa persona aveva anticipato, poco prima del lancio dei nuovi 15 Pro e Pro Max, che questi avrebbero avuto il chiacchierato taglio di memoria da 2 TB.
Proprio per questo motivo dargli credito potrebbe essere complicato, ma sembra plausibile che tale tipo di upgrade potrebbe questa volta essere realmente applicato.
La menzione dell’utilizzo delle nuove memorie flash QLC però è in linea con alcune indiscrezioni precedenti. Tale scelta andrebbe a ridurre i costi di Apple e consentirebbe anche una maggiore capacità di memoria nello stesso spazio fisico utilizzato fino ad oggi. Le QLC sono delle memorie flash NAND a quattro livelli e possono ospitare 4 bit per ogni cella, mentre l’attuale memoria TLC ne può ospitare 3. Questo garantirebbe dunque, oltre all’archiviazione maggiore di dati, anche una velocità superiore.